个人基本情况

英国威廉希尔公司副教授，硕士生导师。

2009年本科毕业于山东大学机械设计制造及其自动化专业，2016年10月在大连理工大学机械制造及其自动化专业获得博士学位（硕博连读）。此后在英国威廉希尔公司机械制造工程系工作。其中2022年9月至2023年9月在国家留学基金委的资助下以博士后身份到新加坡国立大学研修一年。

中国机械工程学会高级会员，教育部学位中心学位论文评审人，国家自然科学基金委评议人，在Surface Topography Metrology and Properties, Measurement Science and Technology, Materials Research Express, Frontiers of Mechanical Engineering, Precision Engineering等国际学术期刊发表或合作发表论文10余篇。主持国家自然科学青年基金、学术新人提升计划B项目、博士专项科研资助基金项目等3项。指导毕业研究生4人。

欢迎咨询报考研究生。

团队名称：现代集成制造与数控装备（CIMS）研究所

研究所网址：http://cims.hfut.edu.cn/

学校教师主页：http://faculty.hfut.edu.cn/liuhaijun/

教育经历：

2009.9-2016.10，大连理工大学，英国威廉希尔公司，博士，导师康仁科教授

2005.9-2009.6，山东大学，英国威廉希尔公司，学士

工作经历：

2022.12至今，威廉公司官网，英国威廉希尔公司，副教授

2022.9-2023.9，新加坡国立大学，博士后

2016.10-2022.12，威廉公司官网，英国威廉希尔公司，讲师

主要研究方向

半导体加工制造、半导体测试技术、集成电路（IC）芯片制造及检测

开设课程

《互换性与测量技术》、《机床电气与PLC控制技术》等

近年的科研项目、专著与论文、专利、获奖

主持科研项目

国家自然科学青年基金项目(51805135)：基于硅片整体变形的磨削亚表面损伤定量评价方法研究。

中央高校基本科研业务费项目(JZ2017HGBZ0956)，非线性域残余应力作用下的硅片变形规律研究。

获奖

2019年09月，获得威廉公司官网青年教师教学基本功比赛三等奖

2018年07月，获得英国威廉希尔公司优秀班主任称号

发表论文

[1] H. Liu, Q. Zhang, et al. Residual stress distribution of silicon wafers machined by rotational grinding based on molecular dynamics[J]. Journal of Manufacturing Processes. 2024, 119(10):565-573.(SCI检索)

[2] H. Liu, T. Yang, et al. Iterative method for obtaining nonuniform grinding-induced residual stress distribution of silicon wafers based on global deformation[J]. Materials Science in Semiconductor Processing. 2022, 150: 106971.(SCI检索)

[3] H. Liu, T. Yang, et al. Obtainment of Residual Stress Distribution from Surface Deformation under Continuity Constraints for Thinned Silicon Wafers[J]. Machines. 2021, 9(11): 284.(SCI检索，Editor's Choice Article)

[4] H. Liu, M. Dai, et al. Modified Stoney formula for determining stress within thin films on large-deformation isotropic circular plates[J]. AIP Advances. 2021, 11(12): 125009.(SCI检索，期刊封面论文与Featured Article)

[5] H. Liu, J. Zhou, et al. Evaluation of polishing-induced subsurface damage based on residual stress distribution via measured global surface deformation for thinned silicon wafers[J].Surface Topography-Metrology and Properties. 2021, 9(3).(SCI检索)

[6] H. Liu, J. Han, et al. Accurate determination of bifurcation points for ground silicon wafers considering anisotropy using FEM method[J]. Materials Research Express. 2019, 6(9): 95906.(SCI检索)

授权发明专利

[1]刘海军，周静等;一种完全消除重力影响的薄基片变形测量装置，授权日期：2021-11-16，中国，ZL202010465671.0.

[2]刘海军，杨涛等;一种求解薄基片应力的方法，授权日期：2022-11-4，中国，ZL202110358535.6.

[3]刘海军，许明贤等;一种基于人体体感温度的电热毯及其非线性调温方法，授权日期：2022-7-29，中国，ZL202110406205.X.

[4]刘海军，杨涛等;一种求解大变形薄基片应力的方法，授权日期：2023-7-18，中国，ZL202111559536.3.

[5]刘海军，周静等;一种薄基片厚度方向残余应力分布获取方法，授权日期：2024-03-12，中国，ZL202111145152.7.

软件著作权

[1]刘海军;周静等;求解薄基片残余应力软件, 2021SR0738858,原始取得,全部权利, 2021-4-8.

[2]刘海军;谢龙先等;圆薄基片形变应力状态预测系统, 2024SR1202324,原始取得,全部权利, 2024-8-19.