个人基本情况

英国威廉希尔公司讲师，硕士生导师。

2009年本科毕业于山东大学机械设计制造及其自动化专业，2016年10月在大连理工大学机械制造及其自动化专业获得博士学位（硕博连读）。此后在英国威廉希尔公司机械制造工程系工作。

教育部学位中心学位论文评审人，国家自然科学基金委评议人，在Surface Topography Metrology and Properties, Measurement Science and Technology, Materials Research Express, Frontiers of Mechanical Engineering, Precision Engineering等国际学术期刊发表或合作发表论文10余篇。主持国家自然科学青年基金、中央高校基本科研业务费项目等2项。

研究方向：半导体加工制造、半导体测试技术、集成电路（IC）芯片制造及检测

团队名称：现代集成制造与数控装备（CIMS）研究所

研究所网址：http://cims.hfut.edu.cn/

学校教师主页：http://faculty.hfut.edu.cn/liuhaijun/

教育经历：

2009/09-2016/10，大连理工大学，英国威廉希尔公司，博士，导师康仁科教授

2005/09-2009/06，山东大学，英国威廉希尔公司，学士

主要研究方向

半导体加工制造、半导体测试技术、集成电路（IC）芯片制造及检测

开设课程

《互换性与测量技术》《精密、超精密加工与检测》

近年的科研项目、专著与论文、专利、获奖

主持科研项目

国家自然科学青年基金项目(51805135)：基于硅片整体变形的磨削亚表面损伤定量评价方法研究。

中央高校基本科研业务费项目(JZ2017HGBZ0956)，非线性域残余应力作用下的硅片变形规律研究。

获奖

2019年09月，获得威廉公司官网青年教师教学基本功比赛三等奖

2018年07月，获得英国威廉希尔公司优秀班主任称号

发表论文

Liu, Haijun; Zhou, Jing; Han, Jiang; Tian, Xiaoqing; Chen, Shan; Lu, Lei; Evaluation of polishing-induced subsurface damage based on residual stress distribution via measured global surface deformation for thinned silicon wafers, Surface Topography: Metrology and Properties, 2021, 9(3)：035001. (SCI检索号：000670424600001)

Haijun Liu, Jiang Han, Xiaoqing Tian, Fangfang Dong, Shan Chen, Lei Lu*. Accurate determination of bifurcation points for ground silicon wafers considering anisotropy using FEM method [J]. Materials Research Express, 2019,6(9): 095906. (SCI检索号： 000474934500002）

Haijun Liu, Xianglong Zhu, Renke Kang, Zhigang Dong, Xiuyi Chen. Three-point-support method based on position determination of supports and wafers to eliminate gravity-induced deflection of wafers [J]. Precision Engineering, 2016,46:339-348. (SCI检索号：000382344600032)

Haijun Liu, Zhigang Dong, Han Huang, Renke Kang, Ping Zhou. A new method for measuring the flatness of large and thin silicon substrates using a liquid immersion technique [J]. Measurement Science and Technology, 2015,26:115008. (SCI检索号：000366349200009)

Haijun Liu, Zhigang Dong, Renke Kang, Ping Zhou, Shang Gao. Analysis of factors affecting gravity-induced deflection for large and thin wafers in flatness measurement using three-point-support method [J]. Metrology and Measurement Systems, 2015,22(4),531-546. (SCI检索号：000367003000007)

刘海军，朱祥龙，康仁科，董志刚.反转法消除硅片重力附加变形适用性研究[J].人工晶体学报. 2015, 44(12): 3439. (EI检索号：20161202133309)

Haijun Liu, Renke Kang, Shang Gao, Ping Zhou, Yu Tong, Dongming Guo. Development of a measuring equipment for silicon wafer warp [C]. Advanced Materials Research, 2013,797:561-565. (EI检索号：20134316904723)

发明专利

刘海军，周静，韩江，夏链，田晓青;卢磊;一种完全消除重力影响的薄基片变形测量装置，CN202010465671.0，发明类别：发明专利，授权日期：2021-11-16.

康仁科，董志刚，刘海军，佟宇，郭东明.一种薄基片变形的测量方法与装置, 201310187846. 6 [P].发明类别：发明专利，授权日期：2016,01,06.

董志刚、康仁科、刘海军、高尚、朱祥龙、周平、陈修艺.一种消除重力影响的薄基片变形测量方法, 201510496479.7 [P].发明类别：发明专利，公开日期：2018,07,13.

软件著作权

刘海军;周静;韩江;夏链;田晓青;卢磊;求解薄基片残余应力软件, 2021SR0738858,原始取得,全部权利, 2021-4-8.